วิธีการทดสอบสำหรับตัวเก็บประจุคงที่

1. การตรวจจับตัวเก็บประจุขนาดเล็กต่ำกว่า 10pf: เนื่องจากความจุขนาดเล็กของตัวเก็บประจุคงที่ต่ำกว่า 10pf โดยใช้มัลติมิเตอร์สำหรับการวัดสามารถตรวจสอบการรั่วไหลในเชิงคุณภาพวงจรลัดวงจรภายในหรือปรากฏการณ์การแยกย่อย เมื่อทำการวัดมัลติมิเตอร์ที่มีช่วง R × 10K สามารถใช้งานได้และสามารถเชื่อมต่อโพรบสองตัวกับพินของตัวเก็บประจุได้ ค่าความต้านทานควรไม่มีที่สิ้นสุด หากค่าความต้านทาน (ตัวชี้แกว่งไปทางขวา) เป็นศูนย์แสดงว่าตัวเก็บประจุได้รับความเสียหายจากการรั่วไหลหรือการสลายภายใน
2. การทดสอบตัวเก็บประจุคงที่ด้วย 10pf ~ 001 μ F: โดยการพิจารณาว่ามีปรากฏการณ์การชาร์จหรือไม่คุณภาพสามารถตัดสินได้ มัลติมิเตอร์ถูกตั้งค่าเป็นเกียร์ R × 1K ค่าเบต้าของทรานซิสเตอร์ทั้งสองสูงกว่า 100 และกระแสการเจาะควรมีขนาดเล็ก 3DG6 และรุ่นอื่น ๆ ของ Silicon Triodes สามารถใช้ในการสร้างทรานซิสเตอร์คอมโพสิต โพรบสีแดงและสีดำของมัลติมิเตอร์นั้นเชื่อมต่อตามลำดับกับตัวส่งสัญญาณ E และตัวสะสม C ของหลอดคอมโพสิต เนื่องจากผลการขยายของทรานซิสเตอร์คอมโพสิตกระบวนการชาร์จและการปลดปล่อยของตัวเก็บประจุที่วัดได้จะถูกขยายซึ่งจะเพิ่มความกว้างของตัวชี้มัลติมิเตอร์และอำนวยความสะดวกในการสังเกต
ควรสังเกตว่าในระหว่างการทดสอบโดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อทำการวัดตัวเก็บประจุที่มีความจุน้อยกว่าพินของตัวเก็บประจุที่ทดสอบควรเปลี่ยนเป็นจุดสัมผัส A และ B ซ้ำ ๆ เพื่อดูการแกว่งตัวชี้มัลติมิเตอร์อย่างชัดเจน สำหรับตัวเก็บประจุคงที่ที่สูงกว่า 001 μ F ช่วง R × 10K ของมัลติมิเตอร์สามารถใช้เพื่อทดสอบโดยตรงว่าตัวเก็บประจุมีกระบวนการชาร์จหรือไม่และมีวงจรลัดวงจรภายในหรือการรั่วไหล ความจุของตัวเก็บประจุสามารถประมาณได้ตามแอมพลิจูดของตัวชี้ที่แกว่งไปทางขวา